SIJH112E-T1-GE3

Vishay Siliconix

Prodotto No:

SIJH112E-T1-GE3

Produttore:

Pacchetto:

PowerPAK® 8 x 8

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8050 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	160 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	3.3W (Ta), 333W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23A (Ta), 225A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIJH112