SIS108DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Prodotto No:

SIS108DN-T1-GE3

Produttore:

Pacchetto:

PowerPAK® 1212-8

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 80V 6.7A/16A PPAK

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 6000

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	545 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	34mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Series	TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max)	3.2W (Ta), 24W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® 1212-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.7A (Ta), 16A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIS108