SISS32ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Prodotto No:

SISS32ADN-T1-GE3

Produttore:

Pacchetto:

PowerPAK® 1212-8S

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1520 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.3mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id	3.6V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Series	TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max)	5W (Ta), 65.7W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® 1212-8S
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	17.4A (Ta), 63A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SISS32