SIZ998DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Prodotto No:

SIZ998DT-T1-GE3

Produttore:

Pacchetto:

8-PowerPair® (6x5)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Dual), Schottky
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package	8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Series	TrenchFET®
Package / Case	8-PowerWDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	20.2W, 32.9W
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc), 60A (Tc)
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIZ998