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SIZF916DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Prodotto No:

SIZF916DT-T1-GE3

Produttore:

Vishay Siliconix

Pacchetto:

8-PowerPair® (6x5)

Batch:

-

Scheda tecnica:

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Descrizione:

MOSFET N-CH DUAL 30V

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Informazioni sul prodotto

Info parametro

Guida per l'utente

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Configuration 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Series TrenchFET® Gen IV
Package / Case 8-PowerWDFN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta), 40A (Tc)
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SIZF916