SQD10N30-330H_4GE3

Vishay Siliconix

Prodotto No:

SQD10N30-330H_4GE3

Produttore:

Pacchetto:

TO-252AA

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	330mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package	TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id	4.4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	300 V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	107W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)