SQM50P04-09L_GE3

Vishay Siliconix

Prodotto No:

SQM50P04-09L_GE3

Produttore:

Pacchetto:

TO-263 (D²Pak)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO263

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6045 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	145 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.4mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package	TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	150W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SQM50