SQR50N04-3M8_GE3

Vishay Siliconix

Prodotto No:

SQR50N04-3M8_GE3

Produttore:

Pacchetto:

D-PAK (TO-252)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 40V 50A DPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	105 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	D-PAK (TO-252)
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	136W (Tc)
Package / Case	TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SQR50