SQS966ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

Prodotto No:

SQS966ENW-T1_GE3

Produttore:

Pacchetto:

PowerPAK® 1212-8W Dual

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CHAN 60V

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	572pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.8nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount, Wettable Flank
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 1.25A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8W Dual
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package / Case	PowerPAK® 1212-8W Dual
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	27.8W (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SQS966