STFI10N65K3

STMicroelectronics

Prodotto No:

STFI10N65K3

Produttore:

Pacchetto:

I2PAKFP (TO-281)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1Ohm @ 3.6A, 10V
Supplier Device Package	I2PAKFP (TO-281)
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	SuperMESH3™
Power Dissipation (Max)	35W (Tc)
Package / Case	TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	STFI10N