STI18N65M2

STMicroelectronics

Prodotto No:

STI18N65M2

Produttore:

Pacchetto:

I2PAK

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	770 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	330mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package	I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	MDmesh™ M2
Power Dissipation (Max)	110W (Tc)
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	STI18