STL3N65M2

STMicroelectronics

Prodotto No:

STL3N65M2

Produttore:

Pacchetto:

PowerFlat™ (3.3x3.3)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	155 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package	PowerFlat™ (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	MDmesh™ M2
Power Dissipation (Max)	22W (Tc)
Package / Case	8-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.3A (Tc)
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	STL3