STW75N65DM6-4

STMicroelectronics

Prodotto No:

STW75N65DM6-4

Produttore:

Pacchetto:

TO-247-4

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	118 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 37.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id	4.75V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	480W (Tc)
Package / Case	TO-247-4
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	75A (Tc)
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube