TK100L60W,VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Prodotto No:

TK100L60W,VQ

Produttore:

Pacchetto:

TO-3P(L)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 600V 100A TO3P

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 474

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	15000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	360 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package	TO-3P(L)
Vgs(th) (Max) @ Id	3.7V @ 5mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	DTMOSIV
Power Dissipation (Max)	797W (Tc)
Package / Case	TO-3PL
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Ta)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	TK100L60