TK3A60DA(Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Prodotto No:

TK3A60DA(Q,M)

Produttore:

Pacchetto:

TO-220SIS

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 2

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8Ohm @ 1.3A, 10V
Supplier Device Package	TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id	4.4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	π-MOSVII
Power Dissipation (Max)	30W (Tc)
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.5A (Ta)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	TK3A60