TK3R3E08QM,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

Prodotto No:

TK3R3E08QM,S1X

Produttore:

Pacchetto:

TO-220

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 73

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	175°C
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7670 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package	TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.3mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Series	U-MOSX-H
Power Dissipation (Max)	230W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tube