TK56E12N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

Prodotto No:

TK56E12N1,S1X

Produttore:

Pacchetto:

TO-220

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N CH 120V 56A TO-220

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 50

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4200 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	69 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7mOhm @ 28A, 10V
Supplier Device Package	TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	120 V
Series	U-MOSVIII-H
Power Dissipation (Max)	168W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	56A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	TK56E12