TPCF8102(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

Prodotto No:

TPCF8102(TE85L,F,M

Produttore:

Pacchetto:

VS-8 (2.9x1.5)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET P-CH 20V 6A VS-8

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : Si prega di richiesta

Si prega di inviare RdO, risponderemo immediatamente.

Nome del contatto

E-mail

Nome della società

Paese

Quantità

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package	VS-8 (2.9x1.5)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	U-MOSIII
Power Dissipation (Max)	700mW (Ta)
Package / Case	8-SMD, Flat Lead
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Ta)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	TPCF8102