TRS3E65H,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Prodotto No:

TRS3E65H,S1Q

Produttore:

Pacchetto:

TO-220-2L

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

G3 SIC-SBD 650V 3A TO-220-2L

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 400

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	199pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Supplier Device Package	TO-220-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr	45 µA @ 650 V
Series	-
Package / Case	TO-220-2
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.35 V @ 3 A
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Tube
Operating Temperature - Junction	175°C
Current - Average Rectified (Io)	3A