TRS6V65H,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Prodotto No:

TRS6V65H,LQ

Produttore:

Pacchetto:

4-DFN-EP (8x8)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

G3 SIC-SBD 650V 6A DFN8X8

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 5000

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	392pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	4-DFN-EP (8x8)
Current - Reverse Leakage @ Vr	70 µA @ 650 V
Series	-
Package / Case	4-VSFN Exposed Pad
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.35 V @ 6 A
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction	175°C
Current - Average Rectified (Io)	6A