TSM110NB04DCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

Prodotto No:

TSM110NB04DCR RLG

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8-PDFN (5x6)

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DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,

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Operating Temperature	-55°C ~ 155°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1506pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Series	-
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	2W (Ta), 48W (Tc)
Mfr	Taiwan Semiconductor Corporation
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta), 48A (Tc)
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	TSM110