TSM650P02CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

Prodotto No:

TSM650P02CX RFG

Produttore:

Pacchetto:

SOT-23

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	515 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.1 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package	SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.56W (Tc)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Taiwan Semiconductor Corporation
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.1A (Tc)
Vgs (Max)	±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	TSM650