TW045Z120C,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

Prodotto No:

TW045Z120C,S1F

Produttore:

Pacchetto:

TO-247-4L(X)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 4

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : Si prega di richiesta

Si prega di inviare RdO, risponderemo immediatamente.

Nome del contatto

E-mail

Nome della società

Paese

Quantità

Operating Temperature	175°C
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1969 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57 nC @ 18 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	62mOhm @ 20A, 18V
Supplier Device Package	TO-247-4L(X)
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 6.7mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	182W (Tc)
Package / Case	TO-247-4
Technology	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Vgs (Max)	+25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Package	Tube