VQ1001P

Vishay Siliconix

Prodotto No:

VQ1001P

Produttore:

Pacchetto:

14-DIP

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	4 N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	110pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.75Ohm @ 200mA, 5V
Supplier Device Package	14-DIP
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Series	-
Package / Case	-
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	2W
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	830mA
Package	Tube
Base Product Number	VQ1001