VS-20ETF12S-M3

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Prodotto No:

VS-20ETF12S-M3

Produttore:

Pacchetto:

TO-263AB (D²PAK)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

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Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	400 ns
Capacitance @ Vr, F	-
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	TO-263AB (D²PAK)
Current - Reverse Leakage @ Vr	100 µA @ 1200 V
Series	-
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.31 V @ 20 A
Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1200 V
Package	Tube
Operating Temperature - Junction	-40°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io)	20A
Base Product Number	20ETF12