VS-GT50TP60N

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Prodotto No:

VS-GT50TP60N

Produttore:

Pacchetto:

INT-A-PAK

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

IGBT MOD 600V 85A 208W INT-A-PAK

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Operating Temperature	175°C (TJ)
NTC Thermistor	No
Configuration	Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)	85 A
Input Capacitance (Cies) @ Vce	3.03 nF @ 30 V
Mounting Type	Chassis Mount
Product Status	Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V
Supplier Device Package	INT-A-PAK
Series	-
Input	Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 50A
Package / Case	INT-A-PAK (3 + 4)
Power - Max	208 W
Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Current - Collector Cutoff (Max)	1 mA
Package	Bulk
IGBT Type	Trench
Base Product Number	GT50