WNSC10650T6J

WeEn Semiconductors

Prodotto No:

WNSC10650T6J

Produttore:

Pacchetto:

5-DFN (8x8)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : Si prega di richiesta

Si prega di inviare RdO, risponderemo immediatamente.

Nome del contatto

E-mail

Nome della società

Paese

Quantità

Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	328pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Supplier Device Package	5-DFN (8x8)
Current - Reverse Leakage @ Vr	60 µA @ 650 V
Series	-
Package / Case	4-VSFN Exposed Pad
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 10 A
Mfr	WeEn Semiconductors
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction	175°C (Max)
Current - Average Rectified (Io)	10A
Base Product Number	WNSC1