XPJ1R004PB,LXHQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Prodotto No:

XPJ1R004PB,LXHQ

Produttore:

Pacchetto:

S-TOGL™

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

40V; UMOS9; MOSFET 1MOHM; L-TOGL

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : Si prega di richiesta

Si prega di inviare RdO, risponderemo immediatamente.

Nome del contatto

E-mail

Nome della società

Paese

Quantità

Operating Temperature	175°C
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	84 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package	S-TOGL™
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 500µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max)	223W (Tc)
Package / Case	5-PowerSFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	160A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)