ZXMN10A11K

Diodes Incorporated

Prodotto No:

ZXMN10A11K

Produttore:

Pacchetto:

TO-252-3

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	274 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.4 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350mOhm @ 2.6A, 10V
Supplier Device Package	TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	2.11W (Ta)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Diodes Incorporated
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.4A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)