1N8030-GA

GeneSiC Semiconductor

Prodotto No:

1N8030-GA

Produttore:

Pacchetto:

TO-257

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

DIODE SIL CARB 650V 750MA TO257

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Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	76pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Supplier Device Package	TO-257
Current - Reverse Leakage @ Vr	5 µA @ 650 V
Series	-
Package / Case	TO-257-3
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.39 V @ 750 mA
Mfr	GeneSiC Semiconductor
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Tube
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 250°C
Current - Average Rectified (Io)	750mA
Base Product Number	1N8030