2SK3812-ZP-E1-AZ

Renesas Electronics America Inc

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2SK3812-ZP-E1-AZ

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TO-263-3

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MP-25LZP

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Operating Temperature	150°C
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	16800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	250 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 55A, 10V
Supplier Device Package	TO-263-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.5W (Ta), 213W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	110A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)