BSC119N03MSCG

Infineon Technologies

Prodotto No:

BSC119N03MSCG

Produttore:

Pacchetto:

PG-TDSON-8

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 160000

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.9mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package	PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	OptiMOS™3
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Ta), 39A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bulk