BSM180C12P3C202

Rohm Semiconductor

Prodotto No:

BSM180C12P3C202

Produttore:

Pacchetto:

Module

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

SICFET N-CH 1200V 180A MODULE

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 11

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9000 pF @ 10 V
Mounting Type	Chassis Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Supplier Device Package	Module
Vgs(th) (Max) @ Id	5.6V @ 50mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	880W (Tc)
Package / Case	Module
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	180A (Tc)
Vgs (Max)	+22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Package	Bulk
Base Product Number	BSM180