EPC2215

EPC

Prodotto No:

EPC2215

Produttore:

Pacchetto:

Die

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 14745

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1790 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.7 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 20A, 5V
Supplier Device Package	Die
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 6mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	-
Package / Case	Die
Technology	GaNFET (Gallium Nitride)
Mfr	EPC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	32A (Ta)
Vgs (Max)	+6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Package	Tape & Reel (TR)