G3S06508J

Global Power Technology-GPT

Prodotto No:

G3S06508J

Produttore:

Pacchetto:

TO-220ISO

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

DIODE SIL CARB 650V 23A TO220ISO

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : Si prega di richiesta

Si prega di inviare RdO, risponderemo immediatamente.

Nome del contatto

E-mail

Nome della società

Paese

Quantità

Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	550pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Supplier Device Package	TO-220ISO
Current - Reverse Leakage @ Vr	50 µA @ 650 V
Series	-
Package / Case	TO-220-2 Isolated Tab
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 8 A
Mfr	Global Power Technology-GPT
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Cut Tape (CT)
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)	23A