MURTA400120

GeneSiC Semiconductor

Prodotto No:

MURTA400120

Produttore:

Pacchetto:

Three Tower

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

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Speed	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type	Chassis Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	Three Tower
Current - Reverse Leakage @ Vr	25 µA @ 1200 V
Series	-
Package / Case	Three Tower
Technology	Standard
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	2.6 V @ 200 A
Mfr	GeneSiC Semiconductor
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1200 V
Package	Bulk
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	200A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 150°C