NCV57200DR2G

onsemi

Prodotto No:

NCV57200DR2G

Produttore:

Pacchetto:

8-SOIC

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE

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Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TA)
Rise / Fall Time (Typ)	13ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min)	100kV/µs (Max)
Voltage - Isolation	-
Approval Agency	-
Current - Peak Output	1.9A, 2.3A
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	8-SOIC
Pulse Width Distortion (Max)	25ns
Series	Automotive, AEC-Q100
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Number of Channels	1
Technology	Capacitive Coupling
Voltage - Output Supply	-
Mfr	onsemi
Voltage - Forward (Vf) (Typ)	-
Package	Tape & Reel (TR)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max)	110ns, 110ns
Current - Output High, Low	-
Base Product Number	NCV57200