SI4505DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Prodotto No:

SI4505DY-T1-E3

Produttore:

Pacchetto:

8-SOIC

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 5V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 7.8A, 10V
Supplier Device Package	8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V, 8V
Series	TrenchFET®
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	1.2W
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A, 3.8A
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI4505