SI7802DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Prodotto No:

SI7802DN-T1-GE3

Produttore:

Pacchetto:

PowerPAK® 1212-8

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : Si prega di richiesta

Si prega di inviare RdO, risponderemo immediatamente.

Nome del contatto

E-mail

Nome della società

Paese

Quantità

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	435mOhm @ 1.95A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id	3.6V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	250 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	1.5W (Ta)
Package / Case	PowerPAK® 1212-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.24A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI7802