SIDC11D60SIC3

Infineon Technologies

Prodotto No:

SIDC11D60SIC3

Produttore:

Pacchetto:

Sawn on foil

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

DIODE SIL CARB 600V 4A WAFER

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Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	150pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package	Sawn on foil
Current - Reverse Leakage @ Vr	200 µA @ 600 V
Series	-
Package / Case	Die
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.9 V @ 4 A
Mfr	Infineon Technologies
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600 V
Package	Bulk
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)	4A
Base Product Number	SIDC11