SIHFL9110TR-GE3

Vishay Siliconix

Prodotto No:

SIHFL9110TR-GE3

Produttore:

Pacchetto:

SOT-223

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.7 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 660mA, 10V
Supplier Device Package	SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	2W (Ta), 3.1W (Tc)
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.1A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIHFL9110