BSC120N12LSGATMA1

Infineon Technologies

Prodotto No:

BSC120N12LSGATMA1

Produttore:

Pacchetto:

PG-TDSON-8

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Scheda tecnica:

Descrizione:

TRENCH >=100V PG-TDSON-8

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4900 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 34A, 10V
Supplier Device Package	PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 72µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	120 V
Series	OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	114W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta), 68A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)