BSP295L6327

Infineon Technologies

Prodotto No:

BSP295L6327

Produttore:

Pacchetto:

PG-SOT223-4-21

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	368 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 1.8A, 10V
Supplier Device Package	PG-SOT223-4-21
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 400µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	SIPMOS®
Power Dissipation (Max)	1.8W (Ta)
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.8A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bulk