HAT2266HWS-E

Renesas Electronics America Inc

Prodotto No:

HAT2266HWS-E

Produttore:

Pacchetto:

LFPAK

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 60V 30A 5LFPAK

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Quantità

Operating Temperature	150°C
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package	LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	23W (Tc)
Package / Case	SC-100, SOT-669
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)