IAUA120N04S5N014AUMA1

Infineon Technologies

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PG-HSOF-5-2

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Descrizione:

MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4828 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	82 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package	PG-HSOF-5-2
Vgs(th) (Max) @ Id	3.4V @ 60µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	136W (Tc)
Package / Case	5-PowerSFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)