IAUA250N04S6N008AUMA1

Infineon Technologies

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PG-HSOF-5-1

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OPTIMOS POWER MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7088 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	109 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.8mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package	PG-HSOF-5-1
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 90µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 6
Power Dissipation (Max)	172W (Tc)
Package / Case	5-PowerSFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	51A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IAUA250