IGLD60R190D1AUMA1

Infineon Technologies

Prodotto No:

IGLD60R190D1AUMA1

Produttore:

Pacchetto:

PG-LSON-8-1

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

GAN N-CH 600V 10A LSON-8

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : Si prega di richiesta

Si prega di inviare RdO, risponderemo immediatamente.

Nome del contatto

E-mail

Nome della società

Paese

Quantità

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	157 pF @ 400 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Supplier Device Package	PG-LSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id	1.6V @ 960µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	CoolGaN™
Power Dissipation (Max)	62.5W (Tc)
Package / Case	8-LDFN Exposed Pad
Technology	GaNFET (Gallium Nitride)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Vgs (Max)	-10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IGLD60