IGT60R070D1ATMA4

Infineon Technologies

Prodotto No:

IGT60R070D1ATMA4

Produttore:

Pacchetto:

PG-HSOF-8-3

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

GANFET N-CH

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 1934

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	380 pF @ 400 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Supplier Device Package	PG-HSOF-8-3
Vgs(th) (Max) @ Id	1.6V @ 2.6mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	CoolGaN™
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Package / Case	8-PowerSFN
Technology	GaNFET (Gallium Nitride)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	31A (Tc)
Vgs (Max)	-10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Package	Tape & Reel (TR)