IPA126N10N3G

Infineon Technologies

Prodotto No:

IPA126N10N3G

Produttore:

Pacchetto:

PG-TO220-3-111

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

35A, 100V, 0.0126OHM, N-CHANNEL

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2500 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.6mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 45µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	OptiMOS™3
Power Dissipation (Max)	33W (Tc)
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Bulk