IPB015N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Prodotto No:

IPB015N06NF2SATMA1

Produttore:

Pacchetto:

PG-TO263-3

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Descrizione:

TRENCH 40<-<100V

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	10500 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	233 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id	3.3V @ 186µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	StrongIRFET™2
Power Dissipation (Max)	3.8W (Ta), 250W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	37A (Ta), 195A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPB015